SI3586DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Numéro de pièce：
SI3586DV-T1-E3
Modèle alternatif：
SI3585CDV-T1-GE3 , NFM18CC223R1C3D , IRLML6401TRPBF , SN74CBTLV1G125DCKR
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Description：
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
RoHS：
YES
SI3586DV-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareil du fournisseur：
6-TSOP
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration：
N and P-Channel
Fonctionnalité FET：
Logic Level Gate
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
20V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
6nC @ 4.5V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
2.9A, 2.1A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Puissance - Max：
830mW
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