SI3552DV-T1-E3

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SI3552DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Numéro de pièce：

SI3552DV-T1-E3

Modèle alternatif：

NTGD4167CT1G , T59EE477M016C0025 , OPA182IDBVR , LT1818CS5#TRMPBF , XF2M-2615-1A , SI3590DV-T1-GE3 , LM358PT , GL41Y-E3/96 , SN74LVC1G17DBVR , FDC6333C , DMG6601LVT-7 , FAN5646UC00X , ATSHA204A-SSHDA-T , AP3012KTR-G1 , TPSM63610RDFR

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

RoHS：

YES

：

SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur：

6-TSOP

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Configuration：

N and P-Channel

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)：

30V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1V @ 250µA (Min)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2.5A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

105mOhm @ 2.5A, 10V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

3.2nC @ 5V

Puissance - Max：

1.15W

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：11125

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.29

870

6000

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1560

9000

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2160

30000

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