SI3499DV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Numéro de pièce：
SI3499DV-T1-E3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
RoHS：
YES
SI3499DV-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareil du fournisseur：
6-TSOP
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)：
8 V
Dissipation de puissance (maximum)：
1.1W (Ta)
Vgs (Max)：
±5V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
42 nC @ 4.5 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
5.3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id：
750mV @ 250µA
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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