SI3469DV-T1-E3

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SI3469DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

Numéro de pièce：

SI3469DV-T1-E3

Modèle alternatif：

SI3483DDV-T1-BE3 , IRFTS9342TRPBF , PMN30XPX , 750311681 , SI2305CDS-T1-GE3 , OPA991SIDBVR , CD-HD201 , DMG1012UW-7 , AP62200WU-7 , SI2303CDS-T1-BE3 , DMP2215L-7 , 155124M173200A , BAT760-7 , 5116 , DESD3V3E1BL-7B

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

RoHS：

YES

：

SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3

SI3469DV-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur：

6-TSOP

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

30 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

5A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.14W (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

30mOhm @ 6.7A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：15480

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.26

780

6000

0.25

1500

9000

0.23

2070

30000

0.23

6900

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