SI3442BDV-T1-E3

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SI3442BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP

Numéro de pièce：

SI3442BDV-T1-E3

Modèle alternatif：

AI-1027-TWT-5V-R , DMG1012T-7 , RN114-2.5-02-3M3 , 3296W-1-502LF , MCP98243-BE/ST , LMR51430XDDCR , BQ25628RYKR , 1053001200 , ECS-80-20-5PX-TR , TPS62840YBGR , B72210S0351K101 , EDM450AUSC0 LFG , BCR421UW6-7 , 36912000000 , R-78E5.0-0.5

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP

RoHS：

YES

：

SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3

SI3442BDV-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur：

6-TSOP

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.8V @ 250µA

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 4.5V

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±12V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

5 nC @ 4.5 V

Dissipation de puissance (maximum)：

860mW (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

57mOhm @ 4A, 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

295 pF @ 10 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：27091

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.24

720

6000

0.22

1320

9000

0.21

1890

30000

0.21

6300

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