SI1499DH-T1-E3

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SI1499DH-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

Numéro de pièce：

SI1499DH-T1-E3

Modèle alternatif：

ATTINY85-20SUR , SMAJ5.0CA , ATTINY85-20SU , SI1499DH-T1-BE3 , FH26W-25S-0.3SHW(60) , LTC3308AEV#TRMPBF , SI2305CDS-T1-GE3 , SI1050X-T1-GE3 , 0ZCF0050FF2C , SAW3129D4B-32.768K , 0ZCF0030FF2C , SI1469DH-T1-E3 , COM-16347 , USB4105-GF-A , 0805L100WR

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

RoHS：

YES

：

SI1499DH-T1-E3 SI1499DH-T1-E3 SI1499DH-T1-E3 SI1499DH-T1-E3 SI1499DH-T1-E3

SI1499DH-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareil du fournisseur：

SC-70-6

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.2V, 4.5V

Tension drain-source (Vdss)：

8 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

800mV @ 250µA

Vgs (Max)：

±5V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

16 nC @ 4.5 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

78mOhm @ 2A, 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

650 pF @ 4 V

Dissipation de puissance (maximum)：

2.5W (Ta), 2.78W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

1.6A (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：13373

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.26

780

6000

0.25

1500

9000

0.23

2070

30000

0.23

6900

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