SI1070X-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Numéro de pièce：
SI1070X-T1-E3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
RoHS：
YES
SI1070X-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)：
±12V
Colis/Caisse：
SOT-563, SOT-666
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
1.2A (Ta)
Dissipation de puissance (maximum)：
236mW (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
SC-89 (SOT-563F)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
8.3 nC @ 5 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1.55V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
385 pF @ 15 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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