SI1021R-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Numéro de pièce：
SI1021R-T1-E3
Modèle alternatif：
SI1021R-T1-GE3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
RoHS：
YES
SI1021R-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Vgs(e) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Colis/Caisse：
SC-75, SOT-416
Dissipation de puissance (maximum)：
250mW (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
190mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
4Ohm @ 500mA, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
1.7 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
23 pF @ 25 V
Package d'appareil du fournisseur：
SC-75A
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