2N7002K-T1-E3

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2N7002K-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Numéro de pièce：

2N7002K-T1-E3

Modèle alternatif：

BAT54-7-F , MM3Z5V6C , LG R971-KN-1-0-20-R18 , MMBT3904-7-F , PKLCS1212E4001-R1 , SN74LVC1G17DBVR , BAT54HT1G , 1N4148W-7-F , TCA6416ARTWR , NTA4151PT1G , EVQ-PLHA15 , BAT54C-7-F , PGB1010603MR , CMI-1295-0585T , MMBT2222A-7-F

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

RoHS：

YES

：

2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3

2N7002K-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

300mA (Ta)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Dissipation de puissance (maximum)：

350mW (Ta)

Colis/Caisse：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-23-3 (TO-236)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

2Ohm @ 500mA, 10V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

0.6 nC @ 4.5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

30 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：242748

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.06

180

6000

0.04

240

9000

0.04

360

30000

0.04

1200

75000

0.03

2250

150000

0.03

4500

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