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Détails du produit
IXTU02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
Numéro de pièce:
IXTU02N50D
Modèle alternatif:
IXTP3N50D2 , IXTY02N50D , LND150N3-G-P003 , LND150K1-G , IXTP02N50D , DN2535N5-G , IXTP01N100D , DN2530N3-G
Fabricant:
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products
>
Transistors
>
FETs, MOSFETs
>
Single FETs, MOSFETs
>
Description:
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
RoHS:
YES
:
IXTU02N50D
IXTU02N50D Spécifications
Type de montage:
Through Hole
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max):
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse:
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Tension drain-source (Vdss):
500 V
Fonctionnalité FET:
Depletion Mode
Dissipation de puissance (maximum):
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur:
TO-251AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
200mA (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
120 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(e) (Max) @ Id:
5V @ 25µA
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:1972
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
2.1
2.1
70
1.68
117.6
140
1.39
194.6
560
1.18
660.8
1050
1
1050
2030
0.95
1928.5
5040
0.91
4586.4
10010
0.88
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