IXTT88N30P

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IXTT88N30P

MOSFET N-CH 300V 88A TO268

Numéro de pièce：

IXTT88N30P

Modèle alternatif：

SQJQ466E-T1_GE3 , 1N4148WS-HG3-08 , LM74800QDRRRQ1 , 5.0SMDJ33CA , PESD3V3L1BSLZ , SMBJ5369B-TP , SZMMSZ4715T1G , SMDJ120A , IXFT120N25X3HV , NC7SB3157P6X , BAV20WS-TP , PESD5V0L1BSLAZ , IXTT82N25P , 5.0SMDJ120A , BNX026H01L

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 300V 88A TO268

RoHS：

YES

：

IXTT88N30P

IXTT88N30P Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

300 V

Dissipation de puissance (maximum)：

600W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

180 nC @ 10 V

Colis/Caisse：

TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-268AA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

88A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

6300 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

40mOhm @ 44A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

14.34

11.62

348.6

120

10.93

1311.6

510

9.91

5054.1

1020

9.09

9271.8

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