IXTT82N25P

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IXTT82N25P

MOSFET N-CH 250V 82A TO268

Numéro de pièce：

IXTT82N25P

Modèle alternatif：

IXFA80N25X3-TRL , SQM10250E_GE3 , IXTT88N30P , HI1206N101R-10 , PDS1-S12-S3-M-TR , IXTT100N25P

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 250V 82A TO268

RoHS：

YES

：

IXTT82N25P

IXTT82N25P Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

250 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-268AA

Dissipation de puissance (maximum)：

500W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4800 pF @ 25 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

142 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

82A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

35mOhm @ 41A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

11.65

11.65

30

9.31

279.3

120

8.33

999.6

510

7.35

3748.5

1020

6.61

6742.2

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