IXTQ82N25P

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IXTQ82N25P

MOSFET N-CH 250V 82A TO3P

Numéro de pièce：

IXTQ82N25P

Modèle alternatif：

IXTX200N10L2 , IXTK82N25P , IXFQ120N25X3 , IXTQ69N30P , IXTQ88N30P , NJW21194G , FDA69N25

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 250V 82A TO3P

RoHS：

YES

：

IXTQ82N25P IXTQ82N25P

IXTQ82N25P Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

250 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-3P

Colis/Caisse：

TO-3P-3, SC-65-3

Dissipation de puissance (maximum)：

500W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4800 pF @ 25 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

142 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

82A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

35mOhm @ 41A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

9.97

9.97

30

7.95

238.5

120

7.12

854.4

510

6.28

3202.8

1020

5.65

5763

2010

5.29

10632.9

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