IXTQ36N30P

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IXTQ36N30P

MOSFET N-CH 300V 36A TO3P

Numéro de pièce：

IXTQ36N30P

Modèle alternatif：

IXFH50N30Q3 , IXTQ36P15P

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 300V 36A TO3P

RoHS：

YES

：

IXTQ36N30P IXTQ36N30P

IXTQ36N30P Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-3P

Colis/Caisse：

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(e) (Max) @ Id：

5.5V @ 250µA

Dissipation de puissance (maximum)：

300W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

70 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2250 pF @ 25 V

Tension drain-source (Vdss)：

300 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

36A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

110mOhm @ 18A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1906

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

5.87

5.87

30

4.65

139.5

120

3.99

478.8

510

3.54

1805.4

1020

3.04

3100.8

2010

2.86

5748.6

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