IXTP2N100
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Numéro de pièce：
IXTP2N100
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
RoHS：
YES
IXTP2N100 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-220-3
Tension drain-source (Vdss)：
1000 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
2A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum)：
100W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
7Ohm @ 1A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
825 pF @ 25 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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