IXTP160N10T

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IXTP160N10T

MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB

Numéro de pièce：

IXTP160N10T

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP160N10T

IXTP160N10T Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Colis/Caisse：

TO-220-3

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220-3

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

132 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

430W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

7mOhm @ 25A, 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

160A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

6600 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：3721

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

5.35

5.35

50

4.24

212

100

3.63

363

500

3.23

1615

1000

2.76

2760

2000

2.61

5220

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