IXTP06N120P

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IXTP06N120P

MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB

Numéro de pièce：

IXTP06N120P

Modèle alternatif：

IXTP08N120P , IXTP02N120P , IXTP1N120P , IXTP1R4N120P , IXTP2R4N120P , STF12N120K5

Fabricant：

Wickmann / Littelfuse

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP06N120P

IXTP06N120P Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-220-3

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

270 pF @ 25 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220-3

Tension drain-source (Vdss)：

1200 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 50µA

Dissipation de puissance (maximum)：

42W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

13.3 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

600mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

32Ohm @ 500mA, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

5.26

5.26

50

4.17

208.5

100

3.58

358

500

3.18

1590

1000

2.72

2720

2000

2.56

5120

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