IXTP05N100

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IXTP05N100

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB

Numéro de pièce：

IXTP05N100

Modèle alternatif：

CSD23280F3T , IXTP05N100M

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP05N100

IXTP05N100 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-220-3

Vgs (Max)：

±30V

Tension drain-source (Vdss)：

1000 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220-3

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

7.8 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

40W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

260 pF @ 25 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

750mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

17Ohm @ 375mA, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1838

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

3.11

3.11

50

2.46

123

100

2.11

211

500

1.88

940

1000

1.61

1610

2000

1.52

3040

5000

1.45

7250

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