IXTB30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Numéro de pièce：
IXTB30N100L
Modèle alternatif：
IXTN30N100L
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
RoHS：
YES
IXTB30N100L Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Package d'appareil du fournisseur：
PLUS264™
Tension drain-source (Vdss)：
1000 V
Colis/Caisse：
TO-264-3, TO-264AA
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
30A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum)：
800W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
545 nC @ 20 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
450mOhm @ 500mA, 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
13200 pF @ 25 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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