IXTA80N10T
MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Numéro de pièce：
IXTA80N10T
Modèle alternatif：
IXTA80N10T-TRL , IXTA96P085T-TRL , MAX489ESD+T , IXTA44P15T-TRL , IXTP80N10T , MC74HC14ADR2G , 5913001013F , BAV19W-TP , ECS-2200B-100 , LM2594HVM-12/NOPB
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 100V 80A TO263
RoHS：
YES
IXTA80N10T Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 100µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
80A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum)：
230W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-263AA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3040 pF @ 25 V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：5700
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
4.08
4.08
50
3.23
161.5
100
2.77
277
500
2.46
1230
1000
2.11
2110
2000
1.98
3960
5000
1.9
9500
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