IXTA60N10T

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IXTA60N10T

MOSFET N-CH 100V 60A TO263

Numéro de pièce：

IXTA60N10T

Modèle alternatif：

IXTA60N10T-TRL , IXTA62N15P , STB120NF10T4 , UCC5350MCDR , ADUM3190ARQZ , L78L33ABD-TR , 1N5819HW-7-F

Fabricant：

Wickmann / Littelfuse

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 60A TO263

RoHS：

YES

：

IXTA60N10T

IXTA60N10T Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

60A (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 50µA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-263AA

Dissipation de puissance (maximum)：

176W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

49 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2650 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

18mOhm @ 25A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1605

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

3.03

3.03

50

2.43

121.5

100

2

200

500

1.69

845

1000

1.44

1440

2000

1.36

2720

5000

1.31

6550

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