IXTA36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Numéro de pièce：
IXTA36N30P
Modèle alternatif：
IXTA36N30P-TRL , UC2843N , AS4C256M16D3LC-12BIN , P6SMB150CA-E3/52 , VS-20CTH03S-M3 , IXFH12N90P , FDB33N25TM , MAX16042TP+ , LT4363HDE-2#PBF , YC164-FR-076K8L , 1N5819UR-1 , 0470.500DRSNP , STB46N30M5 , RT3215-32.768-9-TR , IXTA42N25P , IXTA36N30P-TRL
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
RoHS：
YES
IXTA36N30P Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(e) (Max) @ Id：
5.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (maximum)：
300W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
70 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2250 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss)：
300 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-263AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
36A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
110mOhm @ 18A, 10V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：3200
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
5.43
5.43
50
4.31
215.5
100
3.7
370
500
3.28
1640
1000
2.81
2810
2000
2.65
5300
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