IXTA1N80
MOSFET N-CH 800V 750MA TO263
Numéro de pièce：
IXTA1N80
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 800V 750MA TO263
RoHS：
YES
：
IXTA1N80 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension drain-source (Vdss)：
800 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-263AA
Dissipation de puissance (maximum)：
40W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
220 pF @ 25 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
8.5 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
750mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
11Ohm @ 500mA, 10V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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