IXTA1N120P

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IXTA1N120P

MOSFET N-CH 1200V 1A TO263

Numéro de pièce：

IXTA1N120P

Modèle alternatif：

IXTA1N120P-TRL , IXTA1N120P-TRL , IXTA08N120P , IXTA08N120P-TRL , IXTA06N120P , IXTY02N120P , ACS732KLATR-40AB-T , IXTA06N120P-TRL , IXTY1R4N120PHV

Fabricant：

Wickmann / Littelfuse

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 1200V 1A TO263

RoHS：

YES

：

IXTA1N120P

IXTA1N120P Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tension drain-source (Vdss)：

1200 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

17.6 nC @ 10 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 50µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

1A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

TO-263AA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

550 pF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum)：

63W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

20Ohm @ 500mA, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1677

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

5.61

5.61

50

4.44

222

100

3.81

381

500

3.39

1695

1000

2.9

2900

2000

2.73

5460

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