IXTA06N120P
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Numéro de pièce：
IXTA06N120P
Modèle alternatif：
IXTA06N120P-TRL , LTC3128IFE#PBF , IXTA08N120P , T598D157M016ATE065 , SIHB24N80AE-GE3 , IXTT6N120 , FQP3P50 , G3R350MT12D , STH3N150-2 , IXTY1R4N120PHV , AXK5S40347YG , PH9455.356NL , TLV271CS-13 , HMC608LC4 , CY8C4125AZI-483 , IXTA06N120P-TRL
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
RoHS：
YES
IXTA06N120P Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
270 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss)：
1200 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.5V @ 50µA
Package d'appareil du fournisseur：
TO-263AA
Dissipation de puissance (maximum)：
42W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
13.3 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
600mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
32Ohm @ 300mA, 10V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1992
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
4.91
4.91
50
3.89
194.5
100
3.33
333
500
2.96
1480
1000
2.54
2540
2000
2.39
4780
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