IXGT30N120B3D1
IGBT PT 1200V TO268AA
Numéro de pièce：
IXGT30N120B3D1
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Description：
IGBT PT 1200V TO268AA
RoHS：
YES
IXGT30N120B3D1 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Puissance - Max：
300 W
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
1200 V
Type d'entrée：
Standard
Type IGBT：
PT
Courant - Collecteur pulsé (Icm)：
150 A
Temps de récupération inversée (trr)：
100 ns
Colis/Caisse：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Package d'appareil du fournisseur：
TO-268AA
Frais de porte：
87 nC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
3.5V @ 15V, 30A
Changer d'énergie：
3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Td (marche/arrêt) à 25°C：
16ns/127ns
Condition de test：
960V, 30A, 5Ohm, 15V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
23.2
23.2
30
18.78
563.4
120
17.68
2121.6
510
16.02
8170.2
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