IXFT21N50Q
MOSFET N-CH 500V 21A TO268
Numéro de pièce：
IXFT21N50Q
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 500V 21A TO268
RoHS：
NO
IXFT21N50Q Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
21A (Tc)
Tension drain-source (Vdss)：
500 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
84 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3000 pF @ 25 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.5V @ 4mA
Colis/Caisse：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Package d'appareil du fournisseur：
TO-268AA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)：
280W (Tc)
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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