IXFN80N50Q2

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IXFN80N50Q2

MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B

Numéro de pièce：

IXFN80N50Q2

Modèle alternatif：

IXFN80N50 , IXFN100N50Q3 , STE53NC50 , MS32 10015

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B

RoHS：

YES

：

IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2 Spécifications

Type de montage：

Chassis Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Colis/Caisse：

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-227B

Dissipation de puissance (maximum)：

890W (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

500 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

250 nC @ 10 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 8mA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

72A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

12800 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

60mOhm @ 500mA, 10V

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