IXFH6N120

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IXFH6N120

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

Numéro de pièce：

IXFH6N120

Modèle alternatif：

APT7M120B

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

RoHS：

YES

：

IXFH6N120

IXFH6N120 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-247-3

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

56 nC @ 10 V

Tension drain-source (Vdss)：

1200 V

Dissipation de puissance (maximum)：

300W (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 2.5mA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-247AD (IXFH)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

2.6Ohm @ 3A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1950 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1890

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

12.68

12.68

30

10.26

307.8

120

9.66

1159.2

510

8.76

4467.6

1020

8.03

8190.6

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