IXFH20N80P

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IXFH20N80P

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

Numéro de pièce：

IXFH20N80P

Modèle alternatif：

IXFH24N80P , IXFR64N50P , IXFH20N85X , IXFH15N80Q , MCF52256CAG66 , IXFR40N90P , VOD3120AB-T , IXFL60N80P , IXFH60N65X2-4

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

RoHS：

YES

：

IXFH20N80P

IXFH20N80P Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Colis/Caisse：

TO-247-3

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

86 nC @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-247AD (IXFH)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

20A (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

800 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 4mA

Dissipation de puissance (maximum)：

500W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

520mOhm @ 10A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4685 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

11.18

11.18

30

8.92

267.6

120

7.99

958.8

510

7.05

3595.5

1020

6.35

6477

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