IPI09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
IPI09N03LASpécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Tension drain-source (Vdss)：
25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
50A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO262-3
Dissipation de puissance (maximum)：
63W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
9.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id：
2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1642 pF @ 15 V
