FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
FQPF9P25YDTUSpécifications
Type de montage：
Through Hole
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Vgs (Max)：
±30V
Tension drain-source (Vdss)：
250 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 250µA
Dissipation de puissance (maximum)：
50W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
6A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
38 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1180 pF @ 25 V
Colis/Caisse：
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220F-3 (Y-Forming)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
620mOhm @ 3A, 10V
