FGA50T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
Número de pieza：
FGA50T65SHD
Modelo alternativo：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Descripción：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
RoHS：
YES
FGA50T65SHD Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo IGBT：
Trench Field Stop
Paquete / Estuche：
TO-3P-3, SC-65-3
Tipo de entrada：
Standard
Corriente - Colector Pulsado (Icm)：
150 A
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：
650 V
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 50A
Corriente - Colector (Ic) (Max)：
100 A
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-3PN
Cargo de puerta：
87 nC
Condición de prueba：
400V, 50A, 6Ohm, 15V
Potencia - Máx.：
319 W
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
34.6 ns
Energía de conmutación：
1.28mJ (on), 384µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25°C：
22.4ns/73.6ns
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：2570
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
4.99
4.99
30
3.96
118.8
120
3.39
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510
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