FGA30T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
Número de pieza：
FGA30T65SHD
Modelo alternativo：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G , MIW40N65RA-BP , FGA40T65SHD , SIHP6N40D-BE3 , IHW40N65R6XKSA1 , IKFW40N65ES5XKSA1 , STLINK-V3MODS , NUCLEO-H743ZI2 , MOC3053SM , LNK3696G-TL , ATDS3534UV405B , ABM8-27.120MHZ-10-D1G-T
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Descripción：
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
RoHS：
YES
FGA30T65SHD Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo IGBT：
Trench Field Stop
Paquete / Estuche：
TO-3P-3, SC-65-3
Tipo de entrada：
Standard
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：
650 V
Corriente - Colector (Ic) (Max)：
60 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)：
90 A
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 30A
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-3PN
Potencia - Máx.：
238 W
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
31.8 ns
Condición de prueba：
400V, 30A, 6Ohm, 15V
Energía de conmutación：
598µJ (on), 167µJ (off)
Cargo de puerta：
54.7 nC
Td (encendido/apagado) a 25°C：
14.4ns/52.8ns
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