APTML202UM18R010T3AG
MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
Número de pieza：
APTML202UM18R010T3AG
Fabricante：
Microsemi Corporation
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
RoHS：
NO
APTML202UM18R010T3AG Especificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 2.5mA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Paquete / Estuche：
SP3
Paquete de dispositivo del proveedor：
SP3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200V
Potencia - Máx.：
480W
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
109A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
19mOhm @ 50A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
9880pF @ 25V
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