IRL6372PBF
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Número de pieza：
IRL6372PBF
Modelo alternativo：
IRL6372TRPBF , PDQ15-Q24-S12-D , SN65HVD230D , Q01-12CTR , STD3NK100Z
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
RoHS：
YES
IRL6372PBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SO
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.1V @ 10µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Potencia - Máx.：
2W
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1020pF @ 25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8.1A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
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