SI5903DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Número de pieza：
SI5903DC-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
RoHS：
YES
SI5903DC-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
6nC @ 4.5V
Configuración：
2 P-Channel (Dual)
Potencia - Máx.：
1.1W
Paquete de dispositivo del proveedor：
1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
600mV @ 250µA (Min)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
2.1A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Paquete / Estuche：
8-SMD, Flat Leads
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