SI4967DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Número de pieza：
SI4967DY-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
RoHS：
YES
SI4967DY-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Potencia - Máx.：
2W
Configuración：
2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
450mV @ 250µA (Min)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
12V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 7.5A, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
55nC @ 10V
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