SI4500BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Número de pieza：
SI4500BDY-T1-GE3
Modelo alternativo：
AO4629
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
RoHS：
YES
SI4500BDY-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
17nC @ 4.5V
Potencia - Máx.：
1.3W
Configuración：
N and P-Channel, Common Drain
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6.6A, 3.8A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
20mOhm @ 9.1A, 4.5V
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