BSO211PHXUMA1
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Número de pieza：
BSO211PHXUMA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
RoHS：
YES
BSO211PHXUMA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-DSO-8
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Configuración：
2 P-Channel (Dual)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
10nC @ 4.5V
Potencia - Máx.：
1.6W
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4A
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1095pF @ 15V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.2V @ 25µA
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