SI7216DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Número de pieza：
SI7216DN-T1-GE3
Modelo alternativo：
SIR873DP-T1-GE3 , SI7157DP-T1-GE3 , MPQ4470AGL-AEC1-P , SI4090DY-T1-GE3 , LTC2635HMSE-HZ10#PBF , SI4816BDY-T1-GE3 , SZMM5Z7V5T1G , NCV890104MWR2G , NCV7520MWTXG , SI7232DN-T1-GE3 , SISB46DN-T1-GE3 , S12B-PH-K-S , XP202A0003MR-G , SQS966ENW-T1_GE3 , SI4056DY-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
RoHS：
YES
SI7216DN-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
32mOhm @ 5A, 10V
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8 Dual
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
19nC @ 10V
Potencia - Máx.：
20.8W
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
670pF @ 20V
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Número de envases estándar：7320
Cantidad
Precio unitario
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2190
6000
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9000
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