MKI50-12F7
IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2
Número de pieza：
MKI50-12F7
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
IGBT Modules >
Descripción：
IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2
RoHS：
YES
MKI50-12F7 Especificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：
1200 V
Aporte：
Standard
Termistor NTC：
No
Tipo IGBT：
NPT
Paquete / Estuche：
E2
Paquete de dispositivo del proveedor：
E2
Potencia - Máx.：
350 W
Configuración：
Full Bridge Inverter
Corriente - Colector (Ic) (Max)：
65 A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce：
3.3 nF @ 25 V
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic：
3.8V @ 15V, 50A
Corriente: corte del colector (máx.)：
700 µA
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