FGA70N33BTDTU
IGBT 330V 149W TO3P
Número de pieza：
FGA70N33BTDTU
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Descripción：
IGBT 330V 149W TO3P
RoHS：
NO
FGA70N33BTDTU Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo IGBT：
Trench
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-3P
Paquete / Estuche：
TO-3P-3, SC-65-3
Tipo de entrada：
Standard
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
23 ns
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：
330 V
Corriente - Colector Pulsado (Icm)：
220 A
Cargo de puerta：
49 nC
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic：
1.7V @ 15V, 70A
Potencia - Máx.：
149 W
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Número de envases estándar：1600
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