SI7994DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Número de pieza：
SI7994DP-T1-GE3
Modelo alternativo：
SI7157DP-T1-GE3 , SUM70060E-GE3 , SQT-120-01-F-Q , SIR871DP-T1-GE3 , SQJ431AEP-T1_GE3 , SQT-110-01-F-Q , SISS71DN-T1-GE3 , 74279266 , SIS862DN-T1-GE3 , HP8K24TB , LTC4365ITS8#TRMPBF , SI7938DP-T1-GE3 , SI7252DP-T1-GE3 , SI7997DP-T1-GE3 , SI7272DP-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
RoHS：
YES
SI7994DP-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
60A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5.6mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Máx.：
46W
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
3500pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
80nC @ 10V
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Número de envases estándar：3813
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