FGA15N120ANTDTU-F109
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
Número de pieza：
FGA15N120ANTDTU-F109
Modelo alternativo：
FGA15N120ANTDTU , NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Descripción：
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
RoHS：
YES
FGA15N120ANTDTU-F109 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：
1200 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-3P
Paquete / Estuche：
TO-3P-3, SC-65-3
Tipo de entrada：
Standard
Corriente - Colector (Ic) (Max)：
30 A
Condición de prueba：
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Corriente - Colector Pulsado (Icm)：
45 A
Cargo de puerta：
120 nC
Tipo IGBT：
NPT and Trench
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
330 ns
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic：
2.4V @ 15V, 15A
Td (encendido/apagado) a 25°C：
15ns/160ns
Potencia - Máx.：
186 W
Energía de conmutación：
3mJ (on), 600µJ (off)
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