APTM10TDUM19PG
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
Número de pieza：
APTM10TDUM19PG
Fabricante：
Microsemi Corporation
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
RoHS：
NO
APTM10TDUM19PG Especificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Estuche：
SP6
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 1mA
Configuración：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100V
Paquete de dispositivo del proveedor：
SP6-P
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
70A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
21mOhm @ 35A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
200nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
5100pF @ 25V
Potencia - Máx.：
208W
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