NTZD5110NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Número de pieza：
NTZD5110NT1G
Modelo alternativo：
NTZD5110NT5G , 2N7002KV-TP , DMN2400UV-7 , 2N7002VC-7 , NTZD3154NT1G , CD1408-FU1800 , MMBFJ177LT1G , LM239AMPWREP , SI1026X-T1-GE3 , GB01SLT06-214 , MBT3904DW1T1G , BZX384-B15 , 115 , ECS-120-18-33-JEM-TR , NC7SZ05L6X-L22175 , BC858CDXV6T1G , CM1422-03CP
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
RoHS：
YES
NTZD5110NT1G Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Paquete / Estuche：
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-563
Potencia - Máx.：
250mW
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
0.7nC @ 4.5V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
294mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
24.5pF @ 20V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：18036
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
4000
0.09
360
8000
0.09
720
12000
0.08
960
28000
0.08
2240
100000
0.07
7000
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