SIF912EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
Número de pieza：
SIF912EDZ-T1-E3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
RoHS：
YES
SIF912EDZ-T1-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración：
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
15nC @ 4.5V
Potencia - Máx.：
1.6W
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
7.4A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 2x5
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® (2x5)
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