SI8900EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Número de pieza：
SI8900EDB-T2-E1
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHS：
YES
SI8900EDB-T2-E1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración：
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Potencia - Máx.：
1W
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5.4A
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 1.1mA
Paquete / Estuche：
10-UFBGA, CSPBGA
Paquete de dispositivo del proveedor：
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
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