IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
IRFH7194TRPBFEspecificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-PQFN (5x6)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
19 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
11A (Ta), 35A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
16.4mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.6V @ 50µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
733 pF @ 50 V
